1962'de dünyanın ilk yarı iletken lazerinin icadından bu yana, yarı iletken lazerde diğer bilim ve teknolojinin gelişimini büyük ölçüde destekleyen büyük değişiklikler oldu.
Son yıllarda, bilgi teknolojisinde kullanılan düşük güçlü yarı iletken lazerin gelişimi çok hızlıdır. Örneğin, fiber optik iletişimde kullanılan DFB ve dinamik tek modlu lazer diyotlar, optik disk işlemede yaygın olarak kullanılan görünür dalga boylu lazer diyotlar ve hatta ultra kısa darbeli lazer diyotlar büyük ölçüde geliştirildi.
Düşük güçlü lazer diyotlar, yüksek entegrasyon, yüksek hız ve ayarlanabilirlik özelliklerine sahiptir. Büyük yüksek güçlü yarı iletken lazerlerin gelişimi de hızlanıyor.
1980'lerde bağımsız lazer diyotların çıkış gücü 100 MW'ın üzerindeydi ve dönüşüm verimliliği% 39'a ulaştı. 1990'larda Amerikalılar endeksi bir kez daha yeni bir seviyeye yükselterek% 45 dönüşüm verimliliğine ulaştı. Çıkış gücü açısından da w'den kW'ye değişti.
Şu anda, araştırma projelerinin desteğiyle, yarı iletken lazerler yonga yapısı, epitaksiyel büyüme, cihaz paketleme ve diğer lazer teknolojilerinde büyük ilerleme kaydetti ve birim cihazların performansı da büyük bir atılım gerçekleştirdi: elektro-optik dönüşüm verimliliği % 70'den fazla, ışın sapma açısı çok düşüktür, tek çubuğun sürekli çıkış gücü kW'dan fazladır ve lazeri soğutmak için karbon nano (CN) ısı emici kullanılır Verimlilik geleneksel olandan% 30 daha yüksektir yarı iletken çubuk montaj teknolojisi. 100 μm genişliğindeki tek tüpün çıkış gücü 24.6w'a ulaşır ve yüksek güç sürekli çalışma ömrü onbinlerce saattir.
Yüksek verimli ve yüksek güçlü yarı iletken lazerler de hızla tüm katı hal lazerlerine geliştirilir, bu da LDP katı hal lazerlerinin yeni geliştirme fırsatları ve beklentileri elde etmesini sağlar.
